높은 자외선 감도를 가진 쇼트 키 형 GaP (인화 갈륨) 포토 다이오드입니다.
특징 낮은 암전류 높은 자외선 감도
용도 분석 장비, 자외선 감지
일반 정격 / 절대 최대 정격 패키지 : TO-5 · 수광면 크기 : 2.3x2.3mm · 유효 수광 면적 : 5.2mm 2 역 전압 : 5V · 동작 온도 : -10 ~ +60 ℃ · 보관 온도 : -20 ~ +70 ℃
전기적 및 광학적 특성 (Ta = 25 ℃) · 재질 : 석영 유리 · 감도 파장 범위 λ : 190nm ~ 550nm 최대 감도 파장 λ P ) <: 440nm · 수광 감도 : 0.12A / W (@ 440nm λ P ) 0.03A / W (@ 254nm Hg 방출) 0.10A / W (@ 400nm) · 단락 전류 : 0.3μA 일반. (@ 1,000 lx) · 암전류 : 5pA (@ V R = 10mV) 50pA (@ V R = 1V) · 암전류의 온도 계수 : 1.11 배 / ℃ · 상승 시간 : 10μs (@ V R = 0V , R L = 1kΩ) · 단자 간 용량 : 1,500 pF (@ V R = 0V, f = 10kHz) · 병렬 저항 : 20GΩ 일반. (@ V R =10mV) · NEP
※ : 7.6x10 -15 W / Hz 1 / 2
※ N Oise E quivalent P ower : 노이즈 양 같음 입사 광량, 즉 신호 대 잡음비 (S / N)이 1 되는 입사 광량.
G1962 데이터 시트 (148KB) 참고 자료
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